鹤壁泡沫板专用胶厂

　　存储的涨价潮仍在持续！

　　2月9日，市场研究公司Counterpoint表示，截至2026年季度，内存价格环比上涨80—90，迎来前所未有的创纪录暴涨。

　　另外，盛大幅上调了DRAM供应短缺预期，并发出警告称鹤壁泡沫板专用胶厂，市场正处于过去15年来严重的存储芯片供应短缺前夜。而在几天之前，TrendForce集邦咨询上修季DRAM、NAND Flash各产品价格季度增长幅度，预估整体Conventional DRAM约价将从1月初公布的季增55—60，改为上涨90—95。

　　今日，在韩国证券市场上，存储芯片概念股集体大涨，SK海力士涨近6，三星电子涨近5。在A股市场上，存储芯片概念股也集体走强，炬光科技涨17，国芯科技涨12，复旦微电涨近10，兆易创新（603986）、长电科技（600584）等涨6。

　　季度内存价格飙升90

　　Counterpoint发布的《2月内存价格追踪报告》显示，截至2026年季度，内存价格环比上涨80—90，本轮上涨的主要手是通用服务器DRAM价格大幅攀升。此外，去年四季度表现相对平稳的NAND闪存，在季度也同步上涨80—90。叠加部分HBM3e产品价格走，市场正呈现全品类、全板块加速上涨态势。

　　以服务器内存为例，64GB RDIMM约价已从去年四季度的450美元，飙升至季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元关口。分析师Jeongku Choi指出：“存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的度。2025年四季度，DRAM营业利润率已达到60区间，这是通用DRAM利润率次过HBM。2026年季度，DRAM利润率将次突破历史峰值。尽管如此鹤壁泡沫板专用胶厂，这水平要么成为新的常态，要么形成的基准——当前看似稳固，但旦进入下轮下行周期（若发生），市场表现可能会加惨淡。”

　　此外，TrendForce集邦咨询新数据显示，受惠于AI浪潮的升，存储器与晶圆代工产值均将在2026年同步创下新。存储器产业受供给吃紧与价格飙升影响，产值规模大幅扩张至5516亿美元。尽管晶圆代工产值同步创下2187亿美元的新纪录，但存储器产值规模已攀升至晶圆代工的2倍以上。

　　上次存储器循环落在2017—2019年，主要由云端数据中心建置需求所驱动，存储器产值当时也与晶圆代工拉开了显著差距。然而，此次由AI需求驱动的循环与前次相比，缺货的状况为。AI产业重心由模型训练转向大规模理应用，强调实时响应能力与数据存取率，带动服务器端对容量、带宽DRAM的需求持续扩大，单机搭载容量亦同步提升。除此之外，万能胶厂家英伟达在Vera Rubin平台的广中，强化了对能存储的需求，提升Enterprise（企业）SSD的重要。为了在Token生成能与成本之间取得平衡，业者正加速采用大容量QLC SSD以应对海量数据（603138）存取。

　　另面，客户的需求也已显著改变，不同于过去以终端客户为主，此次货潮由CSP（云端服务供应商）拉动，不仅采购量呈指数成长，对价格的敏感度相对较低，使得价格涨幅同样越前次循环，并创下新纪录。

　　此前鹤壁泡沫板专用胶厂，TrendForce集邦咨询上修季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，预估整体Conventional DRAM约价将从月初公布的季增55—60，改为上涨90—95，NAND Flash约价则从季增33—38上调至55—60，并且不排除仍有进步上修空间。

　　盛大幅上调存储芯片供需缺口预期

　　据追风交易台，知名投行盛在2月8日的报告中表示，2026—2027年全球存储器市场将经历历史上严重的供应短缺之，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。

　　盛新预测显示，2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9和2.5，远此前预期的3.3和1.1。其中，2026年的供应短缺将是过去15年以来严重的次。

　　驱动这紧张局面的核心因素在于服务器需求的爆发式增长。盛将2026年/2027年服务器DRAM（不含HBM）需求预期上调6/10，预计这两年的增长率将分别达到39和22。如果将HBM计在内，服务器相关DRAM需求将占全球总需求的53和57，服务器已成为DRAM需求重要的驱动力。不过，盛下调了PC和智能手机的DRAM需求预期。

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　　NAND市场的供需格局同样大幅收紧。盛预计2026年/2027年NAND供不应求幅度为4.2/2.1，于此前预期的2.5/1.2，这将是NAND行业历史上大规模的短缺之。其中，企业SSD需求的强劲增长是主要动力。盛将2026年/2027年企业SSD需求预期上调14/14，预计增长率将达到58/23，在全球NAND需求中的占比将升至36/39。

　　银河证券指出，1月份，存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续预期。三星电子、SK海力士等头部厂商季度约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调，DRAM价格涨幅达60—70。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年年中。当前时点，是存储芯片赛道下轮周期的新起点，在AI服务器需求速增长叠加国产替代，看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。

　　招商证券表示，2026年季度以来各类存储产品价格环比急剧上涨，目前在能见度范围内今年存储价格持续上涨可期，同时2026年全球新增供给有限，预计存储紧缺趋势将延续至2027年。在价格与需求共振情况下鹤壁泡沫板专用胶厂，今年海内外存储将迎来业绩释放大年，后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续是核心关注点，建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司。